Effect of Barrier Thickness and Barrier Doping on the Properties of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Structure Light Emitting Diode
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Effect of Mg doping in the barrier of InGaN/GaN multiple quantum well on optical power of light-emitting diodes
on optical power of light-emitting diodes Sang-Heon Han, Chu-Young Cho, Sang-Jun Lee, Tae-Young Park, Tae-Hun Kim, Seung Hyun Park, Sang Won Kang, Je Won Kim, Yong Chun Kim, and Seong-Ju Park Department of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology, Gwangju 500-712, Republic of Korea Samsung LED Co. Ltd., Suwon 443-743, Republic of Korea Korea Photonics Techn...
متن کاملthe effect of explicit teaching of metacognitive vocabulary learning strategies on recall and retention of idioms
چکیده ندارد.
15 صفحه اولInvestigation of the Effect of Recombination on Superluminescent Light-Emitting Diode Output Power Based on Nitride Pyramid Quantum Dots
In this article, the temperature behavior of output power of superluminescent light-emitting diode (SLED) by considering the effect of non-radiative recombination coefficient, non-radiative spontaneous emission coefficient and Auger recombination coefficients has been investigated. For this aim, GaN pyramidal quantum dots were used as the active region. The numerical method has been used to sol...
متن کاملthe effect of task complexity on lexical complexity and grammatical accuracy of efl learners’ argumentative writing
بر اساس فرضیه شناخت رابینسون (2001 و 2003 و 2005) و مدل ظرفیت توجه محدود اسکهان (1998)، این تحقیق تاثیر پیچیدگی تکلیف را بر پیچیدگی واژگان و صحت گرامری نوشتار مباحثه ای 60 نفر از دانشجویان زبان انگلیسی بررسی کرد. میزان پیچیدگی تکلیف از طریق فاکتورهای پراکندگی-منابع تعیین شد. همه ی شرکت کنندگان به صورت نیمه تصادفی به یکی از سه گروه: (1) گروه موضوع، (2) گروه موضوع + اندیشه و (3) گروه موضوع + اندی...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: physica status solidi (c)
سال: 2003
ISSN: 1610-1634,1610-1642
DOI: 10.1002/pssc.200390039